▲三端子穿芯电容结构设计,良好的高频滤波性能。
▲替代传统分立电容方案,节省空间并提升EMI性能。
容值范围:100nF~22μF
电压范围:4V~16V
封装尺寸:0402~1206(英制)
▲应用
电源、通信、电磁兼容及高速数字电路,可滤除噪声、提升信号质量、抑制干扰。
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