▲在较高频率下仍能保持较大容量。
▲低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)。
容值范围:1nF~33nF
电压范围:250V-1000V
封装尺寸:0805~1210(英制)
▲应用
5G基站、光模块、服务器、GPU、高频电源管理模块、PD快充等领域。
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